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IXTH13N80

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Artikelnummer
IXTH13N80
Hersteller
IXYS Corporation
Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 13A TO-247
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
IXTH13N80.pdf
Gesamt:$9.57367
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(In US-Dollar)
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$9.57367

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Artikelnummer
IXTH13N80
Hersteller
IXYS Corporation
Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 13A TO-247
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
800V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
13A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
800 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
170nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
4500pF @ 25V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
300W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
TO-247 (IXTH)
Paket / fall
TO-247-3

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