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TC58NYG1S3HBAI4

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Artikelnummer
TC58NYG1S3HBAI4
Hersteller
Toshiba Memory America, Inc.
Beschreibung
2G NAND SLC 24NM BGA
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Gesamt:$5.32000
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
1Stck
$5.32000

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Artikelnummer
TC58NYG1S3HBAI4
Hersteller
Toshiba Memory America, Inc.
Beschreibung
2G NAND SLC 24NM BGA
Teilestatus
Active
Speichertyp
Non-Volatile
Speicherformat
FLASH
Technologie
FLASH - NAND (SLC)
Speichergröße
2Gb (256M x 8)
Taktfrequenz
-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite
25ns
Zugriffszeit
-
Speicherschnittstelle
-
Spannungsversorgung
1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur
-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
63-VFBGA
Supplier Device Package
63-TFBGA (9x11)

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