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IXFA8N85XHV

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Artikelnummer
IXFA8N85XHV
Hersteller
IXYS Corporation
Beschreibung
MOSFET N-CH 850V 8A TO263HV
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
IXFA8N85XHV.pdf
Gesamt:$2.70000
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
1Stck
$2.70000

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Artikelnummer
IXFA8N85XHV
Hersteller
IXYS Corporation
Beschreibung
MOSFET N-CH 850V 8A TO263HV
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
850V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
8A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
850 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
17nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
654pF @ 25V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
200W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
TO-263HV
Paket / fall
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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