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IPS80R750P7AKMA1

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Artikelnummer
IPS80R750P7AKMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 7A TO251-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
IPS80R750P7AKMA1.pdf
Gesamt:$1.60000
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
1Stck
$1.60000

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Artikelnummer
IPS80R750P7AKMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 7A TO251-3
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
800V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
7A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
750 mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3.5V @ 140µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
17nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
460pF @ 500V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
51W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
PG-TO251-3
Paket / fall
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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