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STD2NK90Z-1

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Artikelnummer
STD2NK90Z-1
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
MOSFET N-CH 900V 2.1A IPAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
STD2NK90Z-1.pdf
Gesamt:$0.77963
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$0.77963

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Artikelnummer
STD2NK90Z-1
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
MOSFET N-CH 900V 2.1A IPAK
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
900V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
2.1A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.5 Ohm @ 1.05A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4.5V @ 50µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
27nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
485pF @ 25V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
70W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
I-PAK
Paket / fall
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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