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1N5399GHB0G

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Artikelnummer
1N5399GHB0G
Hersteller
Taiwan Semiconductor
Beschreibung
DIODE GEN PURP 1.5A DO204AC
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
1N5399GHB0G.pdf
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Artikelnummer
1N5399GHB0G
Hersteller
Taiwan Semiconductor
Beschreibung
DIODE GEN PURP 1.5A DO204AC
Teilestatus
Active
Diodentyp
Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)
-
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io)
1.5A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If
1V @ 1.5A
Geschwindigkeit
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)
-
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr
5µA @ 1000V
Kapazität @ Vr, F
15pF @ 4V, 1MHz
Befestigungsart
Through Hole
Paket / fall
DO-204AC, DO-15, Axial
Supplier Device Package
DO-204AC (DO-15)
Betriebstemperatur - Übergang
-55°C ~ 150°C

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