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2SK879-GR(TE85L,F)

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Artikelnummer
2SK879-GR(TE85L,F)
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung
JFET N-CH 0.1W USM
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Gesamt:$0.14105
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$0.14105

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Artikelnummer
2SK879-GR(TE85L,F)
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung
JFET N-CH 0.1W USM
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Spannung - Durchschlag (V (BR) GSS)
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
-
Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
2.6mA @ 10V
Stromaufnahme (Id) - max
-
Spannung - Abschaltung (VGS aus) @ Id
400mV @ 100nA
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
8.2pF @ 10V
Widerstand - RDS (Ein)
-
Leistung max
100mW
Betriebstemperatur
125°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
SC-70, SOT-323
Supplier Device Package
USM

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