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Zuhause Produkte Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln TK11A55D(STA4,Q,M)

TK11A55D(STA4,Q,M)

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Artikelnummer
TK11A55D(STA4,Q,M)
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung
MOSFET N-CH 550V 11A TO-220SIS
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Gesamt:$2.09000
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(In US-Dollar)		 1Stck
$2.09000

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Artikelnummer
TK11A55D(STA4,Q,M)
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung
MOSFET N-CH 550V 11A TO-220SIS
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
550V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
11A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
630 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
25nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
1350pF @ 25V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
45W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220SIS
Paket / fall
TO-220-3 Full Pack

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