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PSMN5R8-30LL,115

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Artikelnummer
PSMN5R8-30LL,115
Hersteller
NXP Semiconductors
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V QFN3333
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
PSMN5R8-30LL,115.pdf
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(In US-Dollar)
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Artikelnummer
PSMN5R8-30LL,115
Hersteller
NXP Semiconductors
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V QFN3333
Teilestatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
40A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.8 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.15V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
24nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
1316pF @ 15V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
55W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
8-DFN3333 (3.3x3.3)
Paket / fall
8-VDFN Exposed Pad

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