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SI4943CDY-T1-E3

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Artikelnummer
SI4943CDY-T1-E3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET 2P-CH 20V 8A 8-SOIC
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
SI4943CDY-T1-E3.pdf
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(In US-Dollar)
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$0.87175

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Artikelnummer
SI4943CDY-T1-E3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET 2P-CH 20V 8A 8-SOIC
Teilestatus
Active
FET-Typ
2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
19.2 mOhm @ 8.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
62nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
1945pF @ 10V
Leistung max
3.1W
Betriebstemperatur
-50°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package
8-SO

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