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FDD3706

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Artikelnummer
FDD3706
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 20V 14.7A D-PAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
FDD3706.pdf
Gesamt:$0.48288
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Artikelnummer
FDD3706
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 20V 14.7A D-PAK
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
14.7A (Ta), 50A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9 mOhm @ 16.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
23nC @ 4.5V
Vgs (Max)
±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
1882pF @ 10V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3.8W (Ta), 44W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
D-PAK (TO-252AA)
Paket / fall
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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