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FDP8878

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Artikelnummer
FDP8878
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 40A TO-220AB
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
FDP8878.pdf
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Artikelnummer
FDP8878
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 40A TO-220AB
Teilestatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
40A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
15 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
23nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
1235pF @ 15V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
40.5W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220-3
Paket / fall
TO-220-3

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