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TPS1120DR

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Artikelnummer
TPS1120DR
Hersteller
Texas Instruments
Beschreibung
MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
TPS1120DR.pdf
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Artikelnummer
TPS1120DR
Hersteller
Texas Instruments
Beschreibung
MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC
Teilestatus
Active
FET-Typ
2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)
15V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
1.17A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
180 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
5.45nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
-
Leistung max
840mW
Betriebstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package
8-SOIC

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