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SPA08N50C3XKSA1

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Artikelnummer
SPA08N50C3XKSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 560V 7.6A TO220FP
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
SPA08N50C3XKSA1.pdf
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(In US-Dollar)
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Artikelnummer
SPA08N50C3XKSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 560V 7.6A TO220FP
Teilestatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
560V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
7.6A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
600 mOhm @ 4.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3.9V @ 350µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
32nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
750pF @ 25V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
32W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
PG-TO220-FP
Paket / fall
TO-220-3 Full Pack

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