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SPP07N60C3XKSA1

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Artikelnummer
SPP07N60C3XKSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-220AB
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
SPP07N60C3XKSA1.pdf
Gesamt:$2.56000
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
1Stck
$2.56000

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Artikelnummer
SPP07N60C3XKSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-220AB
Teilestatus
Not For New Designs
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
7.3A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
600 mOhm @ 4.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3.9V @ 350µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
27nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
790pF @ 25V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
83W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
PG-TO220-3-1
Paket / fall
TO-220-3

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