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FCP067N65S3

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Artikelnummer
FCP067N65S3
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 44A TO220
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Gesamt:$5.83000
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$5.83000

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Artikelnummer
FCP067N65S3
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 44A TO220
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
44A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
67 mOhm @ 22A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4.5V @ 4.4mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
78nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
3090pF @ 400V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
312W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220
Paket / fall
TO-220-3

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