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NTMS4816NR2G

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Artikelnummer
NTMS4816NR2G
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 6.8A 8-SOIC
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Gesamt:$0.25520
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$0.25520

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Artikelnummer
NTMS4816NR2G
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 6.8A 8-SOIC
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
6.8A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
18.3nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
1060pF @ 25V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
780mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
8-SOIC
Paket / fall
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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