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IDH04G65C5XKSA2

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Artikelnummer
IDH04G65C5XKSA2
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
DIODE SCHOTTKY 650V 4A TO220-2-1
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
IDH04G65C5XKSA2.pdf
Gesamt:$2.27000
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(In US-Dollar)
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$2.27000

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Artikelnummer
IDH04G65C5XKSA2
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
DIODE SCHOTTKY 650V 4A TO220-2-1
Teilestatus
Active
Diodentyp
Silicon Carbide Schottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)
650V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io)
4A (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If
1.7V @ 4A
Geschwindigkeit
No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)
0ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr
70µA @ 650V
Kapazität @ Vr, F
130pF @ 1V, 1MHz
Befestigungsart
Through Hole
Paket / fall
TO-220-2
Supplier Device Package
PG-TO220-2-1
Betriebstemperatur - Übergang
-55°C ~ 175°C

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