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RSD050N10TL

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Artikelnummer
RSD050N10TL
Hersteller
ROHM Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 5A CPT3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Erfrischungspreis
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Artikelnummer
RSD050N10TL
Hersteller
ROHM Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 5A CPT3
Teilestatus
Not For New Designs
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
5A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
190 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
14nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
530pF @ 25V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
15W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
CPT3
Paket / fall
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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