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SI5922DU-T1-GE3

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Artikelnummer
SI5922DU-T1-GE3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET 2 N-CH 30V 6A POWERPAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
SI5922DU-T1-GE3.pdf
Gesamt:$0.20034
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
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$0.20034

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Artikelnummer
SI5922DU-T1-GE3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET 2 N-CH 30V 6A POWERPAK
Teilestatus
Active
FET-Typ
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
19.2 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
7.1nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
765pF @ 15V
Leistung max
10.4W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
PowerPAK® ChipFET™ Dual
Supplier Device Package
PowerPAK® ChipFet Dual

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