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TPH3206LDGB

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Artikelnummer
TPH3206LDGB
Hersteller
Transphorm
Beschreibung
GANFET N-CH 650V 16A PQFN
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Gesamt:$10.80000
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
1Stck
$10.80000

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Artikelnummer
TPH3206LDGB
Hersteller
Transphorm
Beschreibung
GANFET N-CH 650V 16A PQFN
Teilestatus
Not For New Designs
FET-Typ
N-Channel
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
16A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
180 mOhm @ 11A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.6V @ 500µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
9.3nC @ 4.5V
Vgs (Max)
±18V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
760pF @ 480V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
81W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
PQFN (8x8)
Paket / fall
3-PowerDFN

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