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JAN1N5416US

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Artikelnummer
JAN1N5416US
Hersteller
Microsemi
Beschreibung
DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Gesamt:$13.23960
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1Stck
$13.23960

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Artikelnummer
JAN1N5416US
Hersteller
Microsemi
Beschreibung
DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL
Teilestatus
Active
Diodentyp
Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)
100V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io)
3A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If
1.5V @ 9A
Geschwindigkeit
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)
150ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr
1µA @ 100V
Kapazität @ Vr, F
-
Befestigungsart
Through Hole
Paket / fall
B, Axial
Supplier Device Package
-
Betriebstemperatur - Übergang
-65°C ~ 175°C

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