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IDP08E65D2XKSA1

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Artikelnummer
IDP08E65D2XKSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
DIODE GEN PURP 650V 8A TO220-2
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
IDP08E65D2XKSA1.pdf
Gesamt:$1.56000
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
1Stck
$1.56000

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Artikelnummer
IDP08E65D2XKSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
DIODE GEN PURP 650V 8A TO220-2
Teilestatus
Active
Diodentyp
Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)
650V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io)
8A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If
2.3V @ 3A
Geschwindigkeit
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)
40ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr
40µA @ 650V
Kapazität @ Vr, F
-
Befestigungsart
Through Hole
Paket / fall
TO-220-2
Supplier Device Package
TO-220-2
Betriebstemperatur - Übergang
-40°C ~ 175°C

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