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MBR20030CT

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Artikelnummer
MBR20030CT
Hersteller
GeneSiC Semiconductor
Beschreibung
DIODE MODULE 30V 200A 2TOWER
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
MBR20030CT.pdf
Gesamt:$70.90600
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
1Stck
$70.90600

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Artikelnummer
MBR20030CT
Hersteller
GeneSiC Semiconductor
Beschreibung
DIODE MODULE 30V 200A 2TOWER
Teilestatus
Active
Diodenkonfiguration
1 Pair Common Cathode
Diodentyp
Schottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)
30V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)
200A (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If
650mV @ 100A
Geschwindigkeit
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)
-
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr
5mA @ 20V
Betriebstemperatur - Übergang
-55°C ~ 150°C
Befestigungsart
Chassis Mount
Paket / fall
Twin Tower
Supplier Device Package
Twin Tower

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