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JAN1N5614US

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Artikelnummer
JAN1N5614US
Hersteller
Microsemi
Beschreibung
DIODE GEN PURP 200V 1A D5A
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Gesamt:$10.09800
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(In US-Dollar)
1Stck
$10.09800

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Artikelnummer
JAN1N5614US
Hersteller
Microsemi
Beschreibung
DIODE GEN PURP 200V 1A D5A
Teilestatus
Active
Diodentyp
Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)
200V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io)
1A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If
1.3V @ 3A
Geschwindigkeit
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)
2µs
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr
500nA @ 200V
Kapazität @ Vr, F
-
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
SQ-MELF, A
Supplier Device Package
D-5A
Betriebstemperatur - Übergang
-65°C ~ 200°C

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