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2N6800

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Artikelnummer
2N6800
Hersteller
Microsemi
Beschreibung
MOSFET N-CH 400V TO-205AF TO-39
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Artikelnummer
2N6800
Hersteller
Microsemi
Beschreibung
MOSFET N-CH 400V TO-205AF TO-39
Teilestatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
400V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
3A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1 Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
5.75nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
-
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
800mW (Ta), 25W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
TO-39
Paket / fall
TO-205AF Metal Can

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