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IPP80N06S2L07AKSA2

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Artikelnummer
IPP80N06S2L07AKSA2
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
IPP80N06S2L07AKSA2.pdf
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Artikelnummer
IPP80N06S2L07AKSA2
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
55V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
80A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2V @ 150µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
130nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
3160pF @ 25V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
210W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
PG-TO220-3-1
Paket / fall
TO-220-3

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