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SI5905BDC-T1-E3

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Artikelnummer
SI5905BDC-T1-E3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
SI5905BDC-T1-E3.pdf
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Artikelnummer
SI5905BDC-T1-E3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8
Teilestatus
Obsolete
FET-Typ
2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)
8V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
80 mOhm @ 3.3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
11nC @ 8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
350pF @ 4V
Leistung max
3.1W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
8-SMD, Flat Lead
Supplier Device Package
1206-8 ChipFET™

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