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PMGD130UN,115

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Artikelnummer
PMGD130UN,115
Hersteller
NXP Semiconductors
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 20V 1.2A 6TSSOP
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
PMGD130UN,115.pdf
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(In US-Dollar)
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Artikelnummer
PMGD130UN,115
Hersteller
NXP Semiconductors
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 20V 1.2A 6TSSOP
Teilestatus
Obsolete
FET-Typ
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
1.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
145 mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
1.3nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
83pF @ 10V
Leistung max
390mW
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Supplier Device Package
6-TSSOP

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