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PHD16N03T,118

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Artikelnummer
PHD16N03T,118
Hersteller
NXP Semiconductors
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 13.1A DPAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
PHD16N03T,118.pdf
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Artikelnummer
PHD16N03T,118
Hersteller
NXP Semiconductors
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 13.1A DPAK
Teilestatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
13.1A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
100 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
5.2nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
180pF @ 30V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
32.6W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
DPAK
Paket / fall
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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