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BSB012N03LX3 G

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Artikelnummer
BSB012N03LX3 G
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 180A 2WDSON
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
BSB012N03LX3 G.pdf
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Artikelnummer
BSB012N03LX3 G
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 180A 2WDSON
Teilestatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
39A (Ta), 180A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.2 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
169nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
16900pF @ 15V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Betriebstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
MG-WDSON-2, CanPAK M™
Paket / fall
3-WDSON

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