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IRLI640GPBF

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Artikelnummer
IRLI640GPBF
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 9.9A TO220FP
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
IRLI640GPBF.pdf
Gesamt:$3.52000
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(In US-Dollar)
1Stck
$3.52000

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Artikelnummer
IRLI640GPBF
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 9.9A TO220FP
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
9.9A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
180 mOhm @ 5.9A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
66nC @ 10V
Vgs (Max)
±10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
1800pF @ 25V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
40W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220-3
Paket / fall
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

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