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SI7212DN-T1-E3

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Artikelnummer
SI7212DN-T1-E3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 1212-8
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
SI7212DN-T1-E3.pdf
Gesamt:$1.36310
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
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$1.36310

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Artikelnummer
SI7212DN-T1-E3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 1212-8
Teilestatus
Active
FET-Typ
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
4.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
36 mOhm @ 6.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
1.6V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
11nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
-
Leistung max
1.3W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
PowerPAK® 1212-8 Dual
Supplier Device Package
PowerPAK® 1212-8 Dual

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