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IPG20N10S4L35ATMA1

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Artikelnummer
IPG20N10S4L35ATMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 8TDSON
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
IPG20N10S4L35ATMA1.pdf
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$0.47226

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Artikelnummer
IPG20N10S4L35ATMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 8TDSON
Teilestatus
Active
FET-Typ
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
35 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.1V @ 16µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
17.4nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
1105pF @ 25V
Leistung max
43W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
8-PowerVDFN
Supplier Device Package
PG-TDSON-8-4

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