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BS2100F-E2

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Artikelnummer
BS2100F-E2
Hersteller
ROHM Semiconductor
Beschreibung
IC DVR IGBT/MOSFET
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
1Stck
$0.49840

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Artikelnummer
BS2100F-E2
Hersteller
ROHM Semiconductor
Beschreibung
IC DVR IGBT/MOSFET
Teilestatus
Not For New Designs
Angetriebene Konfiguration
Half-Bridge
Kanaltyp
Independent
Anzahl der Treiber
2
Gate-Typ
N-Channel MOSFET
Spannungsversorgung
10V ~ 18V
Logikspannung - VIL, VIH
1V, 2.6V
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)
60mA, 130mA
Eingabetyp
Non-Inverting
Hohe Seitenspannung - Max (Bootstrap)
600V
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)
200ns, 100ns
Betriebstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Supplier Device Package
8-SOP

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