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DF200R12W1H3B27BOMA1

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Artikelnummer
DF200R12W1H3B27BOMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
IGBT MODULE VCES 1200V 200A
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
DF200R12W1H3B27BOMA1.pdf
Gesamt:$51.67958
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
1Stck
$51.67958

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Artikelnummer
DF200R12W1H3B27BOMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
IGBT MODULE VCES 1200V 200A
Teilestatus
Active
IGBT-Typ
-
Aufbau
2 Independent
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.)
1200V
Stromabnehmer (Ic) (max.)
30A
Leistung max
375W
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic
1.3V @ 15V, 30A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
1mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce
2nF @ 25V
Eingang
Standard
NTC-Thermistor
Yes
Betriebstemperatur
-40°C ~ 150°C
Befestigungsart
Chassis Mount
Paket / fall
Module
Supplier Device Package
Module

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