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RJK4006DPD-00#J2

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Artikelnummer
RJK4006DPD-00#J2
Hersteller
Renesas Electronics America
Beschreibung
MOSFET N-CH 400V 8A MP3A
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
RJK4006DPD-00#J2.pdf
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Artikelnummer
RJK4006DPD-00#J2
Hersteller
Renesas Electronics America
Beschreibung
MOSFET N-CH 400V 8A MP3A
Teilestatus
Last Time Buy
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
400V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
8A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
800 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
-
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
620pF @ 25V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
65W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
MP-3A
Paket / fall
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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