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RJK2006DPE-00#J3

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Artikelnummer
RJK2006DPE-00#J3
Hersteller
Renesas Electronics America
Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 40A LDPAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
RJK2006DPE-00#J3.pdf
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Artikelnummer
RJK2006DPE-00#J3
Hersteller
Renesas Electronics America
Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 40A LDPAK
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
40A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
59 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
-
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
43nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
1800pF @ 25V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
100W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
4-LDPAK
Paket / fall
SC-83

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