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MCR08BT1,115

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Artikelnummer
MCR08BT1,115
Hersteller
WeEn Semiconductors Co., Ltd
Beschreibung
THYRISTOR 0.8A 200V SOT223
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
MCR08BT1,115.pdf
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(In US-Dollar)
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Artikelnummer
MCR08BT1,115
Hersteller
WeEn Semiconductors Co., Ltd
Beschreibung
THYRISTOR 0.8A 200V SOT223
Teilestatus
Active
Spannung - Aus-Zustand
200V
Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)
800mV
Strom - Gate-Trigger (Igt) (max.)
200µA
Spannung - Ein-Zustand (Vtm) (max.)
1.7V
Aktueller - Ein-Zustand (It (AV)) (Max)
500mA
Aktueller - Ein-Zustand (It (RMS)) (Max)
800mA
Strom - Halten (Ih) (Max)
5mA
Aktueller - Aus-Zustand (max.)
100µA
Strom - Nicht Rep. Überspannung 50, 60Hz (Itsm)
8A, 9A
SCR-Typ
Sensitive Gate
Betriebstemperatur
-40°C ~ 125°C
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
TO-261-4, TO-261AA
Supplier Device Package
SC-73

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