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SIHP22N65E-GE3

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Artikelnummer
SIHP22N65E-GE3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 22A TO-220AB
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
SIHP22N65E-GE3.pdf
Gesamt:$5.28000
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
1Stck
$5.28000

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Artikelnummer
SIHP22N65E-GE3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 22A TO-220AB
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
22A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
180 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
110nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
2415pF @ 100V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
227W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220AB
Paket / fall
TO-220-3

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