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2SK4066-1E

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Artikelnummer
2SK4066-1E
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 100A
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
2SK4066-1E.pdf
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Artikelnummer
2SK4066-1E
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 100A
Teilestatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
100A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.7 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
-
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
220nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
12500pF @ 20V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.65W (Ta), 90W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
TO-262-3
Paket / fall
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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