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IRFB3206GPBF

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Artikelnummer
IRFB3206GPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
IRFB3206GPBF.pdf
Gesamt:$3.14000
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
1Stck
$3.14000

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Artikelnummer
IRFB3206GPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
Teilestatus
Not For New Designs
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
120A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3 mOhm @ 75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 150µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
170nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
6540pF @ 50V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
300W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220AB
Paket / fall
TO-220-3

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