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SISA12ADN-T1-GE3

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Artikelnummer
SISA12ADN-T1-GE3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 25A 1212-8
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
SISA12ADN-T1-GE3.pdf
Gesamt:$0.37290
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Artikelnummer
SISA12ADN-T1-GE3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 25A 1212-8
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
25A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.3 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
45nC @ 10V
Vgs (Max)
+20V, -16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
2070pF @ 15V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3.5W (Ta), 28W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
PowerPAK® 1212-8
Paket / fall
PowerPAK® 1212-8

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