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IPS70R1K4P7SAKMA1

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Artikelnummer
IPS70R1K4P7SAKMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CHANNEL 700V 4A TO251
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
IPS70R1K4P7SAKMA1.pdf
Gesamt:$0.77000
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(In US-Dollar)
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$0.77000

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Artikelnummer
IPS70R1K4P7SAKMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CHANNEL 700V 4A TO251
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
700V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
4A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.4 Ohm @ 700mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3.5V @ 40µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
4.7nC @ 10V
Vgs (Max)
±16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
158pF @ 400V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
22.7W (Tc)
Betriebstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
PG-TO251-3
Paket / fall
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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