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IPA65R095C7XKSA1

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Artikelnummer
IPA65R095C7XKSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V TO220-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
IPA65R095C7XKSA1.pdf
Gesamt:$3.71006
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(In US-Dollar)
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$3.71006

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Artikelnummer
IPA65R095C7XKSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V TO220-3
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
12A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
95 mOhm @ 11.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 590µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
45nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
2140pF @ 400V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
34W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
PG-TO220-FP
Paket / fall
TO-220-3 Full Pack

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