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FQP34N20L

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Artikelnummer
FQP34N20L
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 31A TO-220
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
FQP34N20L.pdf
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(In US-Dollar)
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Artikelnummer
FQP34N20L
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 31A TO-220
Teilestatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
31A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
75 mOhm @ 15.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
72nC @ 5V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
3900pF @ 25V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
180W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220-3
Paket / fall
TO-220-3

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