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US6M11TR

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Artikelnummer
US6M11TR
Hersteller
ROHM Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N/P-CH 20V/12V TUMT6
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
US6M11TR.pdf
Gesamt:$0.19530
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$0.19530

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Artikelnummer
US6M11TR
Hersteller
ROHM Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N/P-CH 20V/12V TUMT6
Teilestatus
Active
FET-Typ
N and P-Channel
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)
20V, 12V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
1.5A, 1.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
180 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
1.8nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
110pF @ 10V
Leistung max
1W
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
6-SMD, Flat Leads
Supplier Device Package
TUMT6

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