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AIKW50N65DF5XKSA1

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Artikelnummer
AIKW50N65DF5XKSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
IC DISCRETE 650V TO247-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
AIKW50N65DF5XKSA1.pdf
Gesamt:$8.02000
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
1Stck
$8.02000

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Artikelnummer
AIKW50N65DF5XKSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
IC DISCRETE 650V TO247-3
Teilestatus
Active
IGBT-Typ
Trench
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.)
650V
Stromabnehmer (Ic) (max.)
-
Strom - Kollektor gepulst (Icm)
150A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 50A
Leistung max
270W
Energie wechseln
490µJ (on), 140µJ (off)
Eingabetyp
Standard
Gate Charge
1018nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C
21ns/156ns
Testbedingung
400V, 25A, 12 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)
-
Betriebstemperatur
-40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Paket / fall
TO-247-3
Supplier Device Package
PG-TO247-3-41

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