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RJK6014DPK-00#T0

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Artikelnummer
RJK6014DPK-00#T0
Hersteller
Renesas Electronics America
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 11A TO220
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Artikelnummer
RJK6014DPK-00#T0
Hersteller
Renesas Electronics America
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 11A TO220
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
16A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
575 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
-
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
45nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
1800pF @ 25V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
150W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
TO-3P
Paket / fall
TO-3P-3, SC-65-3

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