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SUP60030E-GE3

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Artikelnummer
SUP60030E-GE3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET N-CH 80V 120A TO220AB
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
SUP60030E-GE3.pdf
Gesamt:$3.50000
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
1Stck
$3.50000

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Artikelnummer
SUP60030E-GE3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET N-CH 80V 120A TO220AB
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
80V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
120A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.4 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
141nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
7910pF @ 40V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
375W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220AB
Paket / fall
TO-220-3

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